元の名称記録: 深圳市星汉激光科技股份有限公司

本申请实施例提供一种图像处理方法、电子设备、存储介质及程序产品。该方法包括：获取目标区域对应的多个模态图像数据；对各模态图像数据进行特征提取处理，得到各模态图像数据对应的模态特征；根据各模态图像数据对应的模态特征，确定目标区域对应的注意力权重矩阵，注意力权重矩阵用于指示各模态特征的融合权重分配比例；根据注意力权重矩阵，生成目标三维查找表；通过目标三维查找表，对多个模态图像数据进行映射处理，生成目标图像。该方法用以达到提高缺陷检出的准确性的效果。

本发明提供一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法，涉及激光芯片技术领域，包括衬底、低温成核层、高温恢复层、应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层、n型氮化物DBR反射镜、有源区及极化增强型隧穿结等，其中，缺陷阻断层采用原位氮化硅纳米多孔掩膜层配合氮化铝镓/氮化镓应力补偿超晶格层，通过脉冲式侧向外延过生长湮灭穿透性位错，n型氮化物DBR反射镜采用AlInN/GaN晶格匹配材料体系结合氢气刻蚀中断修饰技术，实现了零裂纹、高反射率的厚膜生长，顶部使用极化增强型隧穿结取代ITO，利用InGaN中的压电极化增强空穴隧穿几率，实现了低工作电压、无吸收损耗的高效电流注入，显著降低了位错密度和器件电压，提升了外延片良率和光电转换效率。