INSIGHT 01사실
68%
출원의 68%가 반도체
이 분야 1,034건 중 IPC H10B (Memory devices)가 689건으로 포트폴리오의 중심축입니다.
계산: 분야 출원 수 ÷ IPC가 있는 출원 수
기업 특허存储芯片设计与制造
COMPANY PATENT INTELLIGENCE
CXMT
특허 포트폴리오 분석
按长鑫科技本体及已核验存储子公司的范围，观察存储芯片相关公开文献。
명칭 또는 기간의 일부만 수집 · 수량은 하한값데이터 기준 2026-10-29데이터 범위
- 검색 관할
- 전 세계
- 출원인명 기준
- 데이터셋 표준화 출원인 (현재 권리자 검증 아님)
- 출처 검색 일치 건수
- 1,570
- 공개일 2025-01-01 — 2025-12-31 · 출처 Google Patents
- 이번 통계에 포함된 출원인 명칭
- CHANGXIN MEMORY TECH INC · CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC · CHANGXIN TECH GROUP CO LTD · CXMT CORP
- 수집된 공개일 범위
- 이 스냅샷에 기록되지 않음
- 검토되었으나 수집되지 않은 명칭
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. · CXMT CORPORATION · 睿力集成电路有限公司 · 长鑫存储技术有限公司 · 长鑫科技集团股份有限公司
≥1,570건
월평균 131건 · 최고 2025-01(233건)
점선 빈 막대는 미수집 기간으로 0이 아닙니다. 점선 막대는 명칭 또는 기간의 일부만 포함합니다.
아래 기업 개요·관찰·정독 샘플은 중국어 원문으로 표시합니다. 통계, 차트, 조작은 현지화되어 있습니다.
01핵심 지표
- 출원
- 1,522건
- 출원번호로 중복 제거, 공개본과 등록본은 1건
- 발명
- 1,492건
- 출원의 98%
- 실용신안
- 0건
- 출원의 0%
- 특허 패밀리
- 1,248개
- 출처의 패밀리 ID로 중복 제거
- 녹색 기술
- —
- 출처에 CPC 분류가 없습니다
- 기술 집중도
- 0.58HHI
- 분야 비중의 제곱합, 클수록 집중
02기술 지형
IPC 분류가 있는 출원 1,522건을 WIPO IPC—기술 분야 대응표로 35개 분야에 분류했고, 면적은 출원 건수입니다. 타일을 선택하면 IPC 서브클래스를 보여 줍니다. 한 출원이 여러 분야에 속할 수 있습니다.
- 전기공학
- 계측기기
- 화학
03기술 추이
분야별 월간 공개 문헌 수입니다. 밝을수록 많으며, 특정 월에 몰린 방향을 볼 수 있습니다.
이 차트는 2025-01-01부터 2025-12-31까지 공개된 수집 문헌만 포함합니다. 심사 및 공개 절차가 공개 시점에 영향을 주므로 같은 기간의 연구개발 투자를 직접 나타내지 않습니다.
| 기술 분야 | 25-01 | 25-02 | 25-03 | 25-04 | 25-05 | 25-06 | 25-07 | 25-08 | 25-09 | 25-10 | 25-11 | 25-12 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 반도체 | 135 | 110 | 61 | 49 | 70 | 137 | 87 | 75 | 119 | 75 | 47 | 98 |
| 컴퓨터 기술 | 82 | 62 | 37 | 28 | 39 | 46 | 76 | 42 | 36 | 25 | 19 | 38 |
| 기본 통신 처리 | 16 | 16 | 10 | 3 | 2 | 6 | 11 | 5 | 1 | 4 | 2 | 7 |
| 측정 | 10 | 8 | 1 | 2 | 0 | 3 | 3 | 3 | 2 | 0 | 0 | 3 |
| 광학 | 6 | 8 | 2 | 2 | 1 | 2 | 5 | 5 | 2 | 0 | 0 | 0 |
| 제어 | 6 | 1 | 3 | 5 | 1 | 2 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| 전기 기계·장치·에너지 | 2 | 4 | 0 | 1 | 2 | 3 | 2 | 2 | 1 | 0 | 1 | 0 |
| 영상·음향 기술 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 2 | 0 | 1 | 1 |
수집한 출원의 출원 연도 분포
현재 공개 기간의 문헌을 출원번호로 중복 제거한 뒤 출원 연도별로 집계합니다. 회사의 연도별 전체 출원량이 아닙니다. 이전 출원이 이 기간에 공개되거나 등록될 수도 있습니다.
- 20192
- 20208
- 2021151
- 2022456
- 2023490
- 2024277
- 2025138공개 지연의 영향 가능
발명 출원은 일반적으로 출원일(우선권이 있으면 우선일)로부터 약 18개월 후 공개되며 조기 공개될 수도 있습니다. 표시는 2026-10-29 기준 추정입니다. 표시가 없는 연도도 수집 완료를 의미하지 않으며 연구개발의 성장이나 축소를 판단할 수 없습니다.
장기 기술 추이 · 더 긴 기간을 수집하면 연도별로 표시하고, 가장 빠르게 성장한 분야와 위축된 분야를 표시합니다.
04전략 프로필
다시 계산할 수 있는 네 가지 구조 지표를 사이트의 다른 공개 기업과 같은 눈금에 놓았습니다. 주체 범위와 기간이 다를 수 있으므로 상대적 위치만 보세요. 순위가 아닙니다.
기술 집중도
0.580.000.94
공개된 20개 기업 중 9위.
계산: 분야 비중의 제곱합
실용신안 비중
0%0%33%
공개된 20개 기업 중 9위.
계산: 실용신안 문헌 ÷ 전체 문헌
녹색 기술 비중
—출처에 CPC 분류가 없어 계산할 수 없습니다.
계산: CPC Y02 문헌 ÷ CPC가 있는 문헌
제조·검사 비중
3.1%0%50%
공개된 20개 기업 중 9위.
계산: 측정·화학공학·핸들링·공작기계 출원 합계 ÷ 전체 출원
05협력 네트워크
수록 대상 법인과 공동 출원한 기관입니다. 선 두께는 공동 출원 수를 나타냅니다. 이름으로 추정한 후보와 검토된 관계를 구분하며, 공동 출원만으로 지분 관계를 증명할 수는 없습니다.
BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECH33기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXI MEMORY TECH INC3기타 공동 출원인 · 관계 미확인
BEIJING CHAOXIAN MEMORY RES INSTITUTE2기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXIN JIDIAN BEIJING MEMORY TECH CO LTD2기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXIN MEMORU TECH INC1기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXIN MEMORY TECH INV1기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXIN MEMORY TECHNOLGIES INC1기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANGXIN MEMORY TEHCNOLOGIES INC1기타 공동 출원인 · 관계 미확인
CHANIGXIN MEMORY TECH INC1기타 공동 출원인 · 관계 미확인
관련 가능성은 검토 단서일 뿐입니다. 검토 기록이 없는 공동 출원인을 그룹 구성원이나 외부 협력사로 자동 판단하지 않으며 독립 출원도 통계에 추가하지 않습니다.
법인 검토 목록 보기06법인 및 집계 범위
법인 관계 검토와 데이터 수록 범위는 별개입니다. 현재 법인 설정, 근거, 관계 유효 기간을 표시하고 각 이름을 이 스냅샷의 수록 범위와 대조합니다.
필터는 아래 법인 목록만 바꾸며 통계를 재계산하지 않습니다. 이 페이지에서는 그룹 전체 스냅샷으로 전환할 수 없습니다.
전체 2개 법인 중 2개 표시
长鑫存储技术有限公司
자회사검토 완료일부 이름만 수록
- 이 스냅샷에 수록된 이름
- CHANGXIN MEMORY TECH INC · CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC
- 이 스냅샷에 포함되지 않은 이름
- 长鑫存储技术有限公司 · Changxin Memory Technologies, Inc.
- 기록된 관계 유효 기간
- 기록 없음 — 기록 없음
2026官方公告确认全资子公司；BigQuery中英文原始名称可交叉核对。当前核验主体回看2025公开文献，不据此重建逐日股权或当前专利权属。
검증 근거长鑫科技集团股份有限公司
주요 법인검토 완료일부 이름만 수록
- 이 스냅샷에 수록된 이름
- CHANGXIN TECH GROUP CO LTD · CXMT CORP
- 이 스냅샷에 포함되지 않은 이름
- 长鑫科技集团股份有限公司 · CXMT Corporation · 睿力集成电路有限公司
- 기록된 관계 유효 기간
- 기록 없음 — 기록 없음
官方报告明确公司由睿力集成整体变更；BigQuery两个标准名的原始名称均对应长鑫科技集团股份有限公司。
검증 근거관계 유효 기간은 이름 변경, 인수 및 합작 관계를 이해하기 위한 정보입니다. 날짜가 없다고 영구적 관계나 현재 특허권자가 확인된 것은 아닙니다.
07공개 문헌 지역 분포
공개 관청 7개 · 문헌 1,570건
수집 문헌의 공개 관청 코드로 집계하며 같은 패밀리의 국가별 문헌도 각각 포함합니다. 완전한 패밀리, 등록 또는 유효 권리의 분포가 아닙니다. WO와 EP는 각각 국제 및 유럽 공개 경로입니다.
- US미국719
- CN중국477
- EP유럽특허청 공개227
- WOPCT 국제 공개96
- TW대만35
- KR대한민국14
- JP일본2
08문헌 탐색
공개 문헌 1,570건공개일 최신순
- EP4287256B1
발명 등록
2025-12-31Manufacturing method for a semiconductor structure
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- EP4307370B1
발명 등록
2025-12-31Package structure as well as manufacturing method therefor, and semiconductor device
CHANGXIN MEMORY TECH INC
컴퓨터 기술반도체
- EP4325551B1
발명 등록
2025-12-31Semiconductor structure and method for forming same
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- EP4586257A4
발명 공개
2025-12-31Memory
CXMT CORP
컴퓨터 기술
- EP4600956A4
발명 공개
2025-12-31Memory
CXMT CORP
컴퓨터 기술반도체
- EP4600958A4
발명 공개
2025-12-31Memory and control method therefor, and electronic device
CXMT CORP
컴퓨터 기술반도체
- EP4600959A4
발명 공개
2025-12-31Memory
CXMT CORP
컴퓨터 기술반도체
- CN121237783A
발명 공개
2025-12-30Semiconductor structure and manufacturing method thereof
CHANGXIN TECH GROUP CO LTD
반도체
- CN121240435A
발명 공개
2025-12-30Preparation method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof
CHANGXIN TECH GROUP CO LTD
반도체
- CN121240436A
발명 공개
2025-12-30Semiconductor structure and manufacturing method thereof
CHANGXIN TECH GROUP CO LTD
반도체
- CN121240437A
발명 공개
2025-12-30Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure
CHANGXIN TECH GROUP CO LTD
반도체
- CN121240438A
발명 공개
2025-12-30Preparation method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof
CHANGXIN TECH GROUP CO LTD
반도체
- US12510911B2
발명 등록
2025-12-30Bandgap voltage reference core circuit, bandgap voltage reference source and semiconductor memory
CHANGXIN MEMORY TECH INC
제어
- US12512141B2
발명 등록
2025-12-30Refresh address counting circuit and method, refresh address read-write circuit and electronic device
CHANGXIN MEMORY TECH INC
컴퓨터 기술
- US12512320B2
발명 등록
2025-12-30Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- US12512326B2
발명 등록
2025-12-30Method for processing semiconductor structure and method for forming word line structure
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- US12512373B2
발명 등록
2025-12-30Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- US12512374B2
발명 등록
2025-12-30Semiconductor structure with void and manufacturing method thereof
CHANGXIN MEMORY TECH INC
컴퓨터 기술반도체
- US12512426B2
발명 등록
2025-12-30Package structure and method for forming same
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
- US12512447B2
발명 등록
2025-12-30Semiconductor package assembly and manufacturing method
CHANGXIN MEMORY TECH INC
반도체
제목은 출처의 서지 사항입니다. 번호를 선택하면 사이트에서 전문을 읽을 수 있습니다.
같은 분야에서 특허를 작성하시나요?
기술 공개서를 입력하면 CNIPA 형식에 맞는 편집 가능한 초안을 만듭니다.
09방법과 출처
계수 단위
공개 문헌은 공개번호로, 출원은 출원번호로 중복을 제거합니다(공개본과 등록본은 1건). 패밀리는 출처의 패밀리 ID로 중복을 제거합니다. 기술 분야는 WIPO IPC—기술 분야 대응표(2026년 3월판)에 따라 IPC 분류에서 자동 분류하며, 사람이나 AI의 라벨링을 쓰지 않습니다.
공개 또는 등록 문헌은 현재 유효한 권리를 의미하지 않습니다. 법적 상태와 현재 권리자는 해당 특허청 기록에서 확인해야 합니다.
주체 범위
이 통계는 해당 스냅샷에서 수집한 출원인 명칭과 공개일 범위만 포함합니다. 회사나 그룹의 전체 특허 포트폴리오를 나타내지 않습니다.
- 검색 관할
- 전 세계
- 출원인명 기준
- 데이터셋 표준화 출원인 (현재 권리자 검증 아님)
- 이번 통계에 포함된 출원인 명칭
- CHANGXIN MEMORY TECH INC · CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC · CHANGXIN TECH GROUP CO LTD · CXMT CORP
- 검토되었으나 수집되지 않은 명칭
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. · CXMT CORPORATION · 睿力集成电路有限公司 · 长鑫存储技术有限公司 · 长鑫科技集团股份有限公司
현재 주체 설정 및 검토 근거
아래 검토된 주체와 별칭은 현재 회사 설정입니다. 이 스냅샷에는 위에 나열된 명칭만 포함됩니다.
长鑫存储技术有限公司
설정된 별칭: Changxin Memory Technologies, Inc. · CHANGXIN MEMORY TECH INC · CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC
2026官方公告确认全资子公司；BigQuery中英文原始名称可交叉核对。当前核验主体回看2025公开文献，不据此重建逐日股权或当前专利权属。
검증 근거长鑫科技集团股份有限公司
설정된 별칭: CXMT Corporation · 睿力集成电路有限公司 · CHANGXIN TECH GROUP CO LTD · CXMT CORP
官方报告明确公司由睿力集成整体变更；BigQuery两个标准名的原始名称均对应长鑫科技集团股份有限公司。
검증 근거