元の名称記録: 上海芯波电子科技有限公司

本发明公开了一种九端子的电容器，涉及电容器技术领域；其包括依次固定连接的硅基底Si‑Sub、第一互连层metal1、第二互连层metal2和电极端子，硅基底Si‑Sub内的沟槽Trench包括第一电容C1和第二电容C2，电极端子包括第一至第四上电极端子以及第一至第五下电极端子，两个上电极端子之间通过下电极端子间隔分布，每一电容的上电极通过第一互连层和第二互连层与一对上电极端子电连接，每一电容的下电极通过第一互连层和第二互连层与全部下电极端子电连接；其通过两个电容、两个互连层、四个上电极端子和五个下电极端子，在提高电容密度的同时，降低了电容等效串联电阻和等效串联电感。