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本申请公开了一种托盘、承载结构及SiC外延设备，属于半导体生产设备技术领域，该托盘包括承载件和第一吸附件，承载件，用于承载衬底，承载件包括本体及能够承载衬底的上表面，上表面包括第一容置区域和第二容置区域，衬底能够承载于第一容置区域，第二容置区域环绕第一容置区域设置；第一吸附件可拆地设于第二容置区域；其中，第一吸附件包括相对的底面顶面，第一吸附件包括自顶面向内并具有第一厚度的第一主体，第一主体材质为4H‑SiC，第一厚度不小于200μm。本申请通过设置具有材质为4H‑SiC的第一主体的第一吸附件，降低第一吸附件在多次使用之后释放掺杂物的可能性，从而降低衬底被污染的可能性，提升外延工艺的良率。