№ CN122952622A発明
不明一种高峰值脉冲电流沟槽TVS二极管及其制造方法
本发明公开了一种高峰值脉冲电流沟槽TVS二极管及其制造方法。其制造方法包括:选取包括N型衬底层和P型外延层的异型外延结构,以所述P型外延层作为芯片基区;采用Trench沟槽结构作为横向终端设计,对横向空间电荷区实现隔离作用、阻断横向侧壁电流提高芯片的I电流能力和钳位电压。本发明所取得的TVS二极管能够有效提高电流承载能力和响应速度。
❖江苏新顺微电子股份有限公司赵飞; 许柏松; 韩笑Oct 20, 2026§ 2/10 請求項H10D 8/00 (2025.01), H10D 8/01 (2025.01), H10D 64/23 (2025.01) +1