北京晶亦精微科技股份有限公司

本发明提供一种用于CMP抛光头的膜片防粘连方法，涉及膜片强化技术领域。本发明获取目标压力区中膜片在预设负压工况下的特征信息，根据最大位移量及最大发生位置判断膜片是否存在因整体轴向位移过大而与其他侧壁面贴合的第一类粘连风险，若是则选取用于限制膜片轴向行程的第一类防粘连措施；根据最大弯曲应变值判断膜片是否存在因根部弯曲刚度不足导致形变加剧的第二类粘连风险，若是则选取用于增大折角区域抗弯刚度的第二类防粘连措施。通过获取膜片在负压工况下的形变特征信息，对膜片的形变机理进行识别分类，最终实现了不同的处理方式。本发明实现了对不同形变失效模式的精准干预，优化了结构设计，保证了防粘连的效果。

本发明提供了一种真空吸附盘以及方形基板研磨装置，属于半导体的技术领域。真空吸附盘设置为矩形，其包括：圆盘区和边角区。圆盘区设置于真空吸附盘的中心区域。边角区设置有四个；边角区分别设置在真空吸附盘的四角位置；边角区和圆盘区构成一个矩形；圆盘区的高度高于边角区的高度。本发明提供的方形基板研磨装置采用中心圆盘区搭配四角独立边角区的分层式矩形真空吸附承载结构，基板四角不会长时间承受均匀高压，边缘材料去除速率能够与基板中心区域趋于一致，有效改善整片基板表面抛光均匀性。