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根据一些实施方式，提供了电子熔断器、电子熔断器封装及用于控制电子熔断器开关的方法。电子熔断器包括：开关、被配置成生成开关的第一感测负载电流的模拟电流感测支路、被配置成生成开关的第二感测负载电流的数字电流感测支路、被配置成基于开关的操作模式在第一感测负载电流与第二感测负载电流之间进行选择以生成开关的负载监测电流的切换检测器、以及被配置成基于负载监测电流控制开关的控制器。

公开了III族氮化物晶体管器件。在实施例中，提供了一种III族氮化物晶体管器件，其包括：III族氮化物主体，III族氮化物主体包括贡献于负载开关的有源区、III族氮化物沟道层和布置在III族氮化物沟道层上并且在其间形成异质结的III族氮化物势垒层；布置在III族氮化物势垒层上的源极指状物、栅极指状物和漏极指状物；电耦合到源极指状物的源极焊盘、耦合到栅极指状物的栅极焊盘和耦合到漏极指状物的漏极焊盘；以及电耦合在晶体管器件的栅极焊盘和栅极指状物之间的栅极电阻器。栅极电阻器至少部分地位于晶体管器件的有源区上。

所公开的构思涉及用于解调频移键控FSK调制信号的电路和方法和隔离电路。用于解调FSK信号的电路包括：被配置成接收FSK调制信号的输入节点；和相电压转换器PVC单元，其包括连接至输入节点的第一PVC输入节点、第二PVC输入节点和PVC输出节点。PVC单元被配置成基于FSK调制信号与第二PVC输入节点上的信号之间的相位差向PVC输出节点提供控制信号。解调电路还包括电压控制延迟线VCDL单元，其包括连接至输入节点的第一VCDL输入节点、连接至PVC输出节点的第二VCDL输入节点和VCDL输出节点。VCDL单元被配置成基于控制信号调整FSK调制信号的相位并向VCDL输出节点提供经调整信号。第二PVC输入节点连接至VCDL输出节点。解调电路还包括被配置成提供FSK解调信号的连接至PVC输出节点的输出节点。

实施方式包括一种用于具有隐藏公共源极的双向开关的驱动器电路以及用于驱动这样的开关的方法，其中，双向开关包括栅极端子、第一漏极端子和第二漏极端子以及隐藏的（例如掩埋的）公共源极（例如，使得没有可用于测量公共源极的电压的端子，例如未暴露的源极）。驱动器电路被配置成使用或选择第一漏极端子的漏极电压和第二漏极端子的漏极电压中的较低电压，以便向双向开关的栅极端子提供驱动信号。

本公开涉及谐振功率转换器及受控电容器放电。控制器可以被配置为：在第一操作模式期间控制谐振功率转换器中的多个开关，并且实施停止对多个开关进行导通和关断切换的第二操作模式。在第一示例中，基于与谐振功率转换器的操作相关联的持续时间，控制器可以被配置为控制谐振功率转换器中的多个开关，以对谐振功率转换器的谐振电容器进行放电。在第二示例中，在第二操作模式期间，控制器可以被配置为控制第一开关，以对谐振功率转换器的谐振电容器进行放电。在第三示例中，基于所监测到的通过多个开关的第一开关的电流的幅度，控制器可以被配置为控制多个开关的第一开关，以对谐振功率转换器的谐振电容器进行放电。

一种半导体封装包括：预封装；预封装载体，预封装安装在预封装载体上；以及嵌埋预封装和预封装载体的密封剂。预封装包括功率晶体管芯片，其具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。功率晶体管芯片是横向半导体器件。多个源极负载焊盘和多个漏极负载焊盘布置在功率晶体管芯片的第一侧处。预封装体至少在功率晶体管芯片的第一侧处嵌埋功率晶体管芯片，预封装体的第一侧背离功率晶体管芯片的第一侧。经结构化金属层设置在预封装体的第一侧上方。经结构化金属层包括一个连续源极负载结构和一个连续漏极负载结构。预封装竖直互连件伸展穿过预封装体的材料并被配置成将至少一些源极负载焊盘连接至源极负载结构并将至少一些漏极负载焊盘连接至漏极负载结构。