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本发明公开了一种调控Cu‑Ni‑Si合金析出相分布的方法，属于铜合金材料制备加工技术领域。该方法以固溶处理后的Cu‑Ni‑Si合金为原料，先在液氮温区进行深冷预变形，总变形量为65%～85%，分5～8个道次完成，每道次轧制后浸入液氮中保温10～30分钟，引入均匀分布的高密度晶体缺陷，包括平面滑移位错阵列、层错和纳米孪晶；随后在400～450℃下时效处理2～4小时，使δ‑NiSi析出相以所述晶体缺陷为异质形核点形核并长大。本发明利用深冷环境抑制动态回复，引入高密度、均匀分布的晶体缺陷作为形核位点，使析出相数密度大幅提升并均匀分布，所得合金抗拉强度达716.42MPa，延伸率12.71%，导电率48.70%IACS，实现了强度、塑性和导电率的同步提升。