特許出願人の記録

APPLICANTS

元の名称記録: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

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索引済み特許 9 件

№ CN121335868A発明
有効

将温度调节中空结构结合到基板中、特别是结合到用于EUV投射曝光设备的光学元件的基板中的方法及其加工系统、制造光学元件的方法和基板、光学元件和半导体技术设备以及结构化电子部件

本发明涉及一种将温度调节中空结构(22)结合到EUV投射曝光设备的反射镜(10)的基板(12)中的方法,包括以下步骤:(A)提供由基板材料12a构成的基板(12);(B)将处理光束(46)逐渐聚焦到将要产生温度调节中空结构(22)的加工位置(54)上,使得基板材料12a在加工位置(54)处被烧蚀,其中邻近加工位置(54)产生改性的基板材料(58),其相对于基板材料12a具有增加的蚀刻敏感性;(C)在执行步骤(B)的同时将冲洗流体(82;82.1)施加到加工位置(54),由此冲洗掉被烧蚀的基板材料。在步骤(D)中,在执行步骤(B)的同时将蚀刻介质(80)施加到加工位置(54),其中蚀刻介质(80)在加工位置(54)处表现出蚀刻效果,并通过蚀刻过程去除存在于那里的改性的基板材料(58)。本发明还涉及用于执行该方法的处理系统(40),以及用于制造光学元件(8)的方法和基板(12)以及光学元件(8)。另外,本发明涉及一种半导体技术设备(6)和一种结构化的电子部件(224)。

❖卡尔蔡司SMT有限责任公司C·莫勒; E·卢普斯特拉; S·苏莱曼; A·塞弗特; M·蒂姆; S·法斯; J·拉克§ 13/40 請求項C03C 15/00 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01) +211