元の名称記録: 苏州镓港半导体有限公司

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种P‑GaN栅增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长成核层、缓存层、沟道层、势垒层和P型GaN层；通过光刻和刻蚀工艺，形成器件的有源区隔离；光刻出源极和漏极区域，刻蚀去除该区域的P型GaN层，沉积并退火形成N型欧姆接触；光刻出P型欧姆区域，在漏极侧保留部分P型GaN层，刻蚀去除其余部分，沉积并退火形成P型欧姆接触；光刻出栅极区域，沉积并退火形成肖特基栅极金属；以栅极金属和P型欧姆金属为掩膜，对栅源和栅漏之间的P型GaN进行等离子体钝化处理，并在氮气氛围下退火，使其转变为高阻GaN。本发明，可以有效避免器件在低漏极电压下无法正向导通的现象。