元の名称記録: 万锐半导体（汕头）有限公司

本发明涉及一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法，该SiC功率装置包括：SiC功率模块以及与SiC功率模块连接的散热器；所述SiC功率模块包括上盖、外壳、功率模块以及中间掏空的底板；所述散热器包括基板和翅片；所述功率模块包括至少一个DBC基板，设每一DCB基板上设有SiC芯片、pin针以及键合线；所述DBC基板的侧壁以粘合剂与所述底板的内壁固接；所述DBC基板的下表面与所述散热器的基板连接，通过将DBC的下表面直接与散热器接触，极大缩短了SiC芯片到散热器的散热路径，降低了SiC芯片工作的最大温度，同时将底板掏空，降低了材料成本，而且增加模块的机械强度，提升了整体模块在复杂工作环境的稳定性。