中国科学院半导体研究所

本发明提供一种实现光传播路径上环境折射率周期变化的方法和装置。实现光传播路径上环境折射率周期变化的方法包括：根据光线在传播路径上环境所需折射率的变化范围，确定具有不同折射率的多个透明棱镜，多个透明棱镜构成传播路径上的环境；使每一个透明棱镜的入光面朝向光线的光源，将多个透明棱镜按照所需折射率的周期变化趋势并行排列成棱镜组；驱动光源或棱镜组沿着平行于透明棱镜的入光面的方向按照预设速度往复移动，使光线依次垂直射入每一个透明棱镜。

本公开提供了一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域。本公开的电吸收调制激光器包括衬底；有源层，形成在衬底表面，有源层沿第一方向分为相邻的第一有源区段和第二有源区段；光栅，设置在第一有源区段表面；盖层，形成在有源层表面；接触层，形成在盖层表面，接触层通过多个电隔离沟分隔为沿第一方向依次相邻的第一接触区段、第二接触区段、第三接触区段和第四接触区段。其中，第一有源区段、光栅、盖层和第一接触区段构成第一激光器；第一有源区段、光栅、盖层和第二接触区段构成第二激光器；第一有源区段、光栅、盖层和第三接触区段构成第三激光器；第二有源区段、盖层和第四接触区段构成调制器。

本发明提供一种垂直入射高灵敏度高速雪崩光电探测器，包括：衬底；在衬底沿第一方向的一侧上设有第一接触层，在第一接触层上设有台面结构，台面结构包括依次叠置的本征传输层、N型电荷层、倍增层、P型电荷层、渡越层、吸收层、渐变层、光窗层与第二接触层；扩散有源区，开设于光窗层和第二接触层的中部且呈圆柱通孔；钝化保护层，覆盖于第一接触层与台面结构；N电极，与钝化保护层并列布设于第一接触层上；P电极，设于台面结构顶部的钝化保护层中部，且贯通至扩散有源区。

本发明提供一种高效低损耗液态源起泡器，涉及化学气相沉积用辅助设备技术领域，包括起泡器本体和载气进气管，所述起泡器本体具有容纳腔并设有蒸汽出口，所述容纳腔用于容纳液态源并包括彼此连通的第一腔室和第二腔室，所述蒸汽出口与所述第一腔室连通，所述第一腔室的容积大于所述第二腔室的容积，所述第一腔室的横截面积远大于所述第二腔室的横截面积；所述载气进气管的至少部分配合于所述第二腔室内，所述载气进气管的出气口邻近所述第二腔室背离所述第一腔室的一端以对所述第二腔室通入载气。本发明可以有效降低起泡区域的容积，使得载气进气管的出口持续位于液态源液面以下，保证液态源利用率和稳定的液态源输出量。

本公开提供一种偏振编码集成芯片，涉及量子通信技术领域。偏振编码集成芯片包括：阵列波导光栅，包括2n个输入端，第2k‑1个输入端和第2k的输入端构成第k个波长通道组，第k个波长通道组用于接收同一波长且具有预设振幅比和预设相位差的两个光信号，1≤k≤n，n≥2；其中，阵列波导光栅被配置为：将所有奇数序号的输入端接收的光信号复用后输出第一光信号；以及将所有偶数序号的输入端接收的光信号复用后输出第二光信号。

本申请提供了一种GaN基电注入光子晶体面发射激光器，涉及半导体光电子器件技术领域，包括：由下至上依次层叠的GaN衬底、n型包层、n侧波导层、多量子阱有源区、p侧过渡层、埋置有光子晶体层的第一GaN基层、第二GaN基层、p型光限制层和p型接触层；GaN衬底远离n型包层的一侧经减薄形成n侧出光面，n侧出光面上设有环形电极，环形电极环绕光子晶体层的投影区域形成出光窗口；出光窗口内集成有多级螺旋相位板，多级螺旋相位板用于对自出光窗口射出的光束进行波前调制。使得相位调制结构的制备无需刻蚀激光器主谐振区，从而在规避主谐振结构损伤的同时，实现了对出射光束的波前调制。

本申请实施例提供了一种跨阻放大电路及光电接收机，该跨阻放大电路包括前馈放大电路，包括至少三级前馈放大电路，至少三级前馈放大电路包括依次串联的第一级前馈放大电路、第二级前馈放大电路和第三级前馈放大电路；有源反馈电路，包括至少两个有源反馈电路，至少两个有源反馈电路包括第一有源反馈电路和第二有源反馈电路；反馈电阻，并联在第一级前馈放大电路的输入端与第三级前馈放大电路的输出端之间。通过本申请实施例，可以解决相关技术中对于高速数据传输需求的光电接收机，采用常规的跨阻放大电路难以保证良好数据传输速率的同时兼顾电路模拟带宽要求的问题。

本申请实施例提供了一种信号幅度的调节方法、电光调制器、可读存储介质和计算机程序产品，该方法应用于电光调制器，电光调制器包括驱动电路所述驱动电路包括多个切片电路，包括：通过多个切片电路中的目标切片电路中的至少一个查找表LUT电路，调节目标切片电路的输出逻辑，以调节输入电光调制器的多幅值信号的输出电平，从而补偿电光转换过程中的非线性影响，提高了信号完整性。解决了相关技术中电光发射机无法对电光转化而引入非线性的信号进行有效的处理的问题。

本公开涉及一种图像传感电路及用于其的方法、芯片、电子设备。图像传感电路包括宏像素块阵列、列数据缓存电路、行扫描电路及列数据选择电路。宏像素块阵列包括多个宏像素块。宏像素块包括多个宏像素。宏像素包括感测光照强度变化的第一传感器。行扫描电路在第一行的宏像素块的第一传感器感测到光照强度的变化量超过阈值时，使得第一行的各个宏像素块的第一和第二信息从宏像素阵列传输至列数据缓存电路。第一信息指示宏像素块感测到的光照强度变化。第二信息指示宏像素感测到的光照强度变化。列数据选择电路在确定第一宏像素块的第一信息指示光照强度的变化量超过阈值时，输出该宏像素块中的各个宏像素的第二信息以及该宏像素块的位置和时间信息。