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FBAR STRUCTURE HAVING SINGLE CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

A film bulk acoustic resonator (FBAR) structure includes a bottom cap wafer, a piezoelectric layer disposed on the bottom cap wafer, the piezoelectric layer including a single crystalline piezoelectric material, a bottom electrode disposed below the piezoelectric layer; a top electrode disposed above the piezoelectric layer; and a cavity disposed below the bottom electrode.

❖Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd.Jian WANG§ 2/17 請求項H3H 9/17, H3H 3/2, H3H 9/2 +114

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元の名称記録: Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd.

FBAR STRUCTURE HAVING SINGLE CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF