复合铜膜、制备方法及电子设备
本发明公开了一种复合铜膜、制备方法及电子设备,其中复合铜膜,包括基材,以及至少形成于基材一侧的复合铜层,所述复合铜层顺次包括,以远离基层的方向观察:加硬层;打底层,厚度20‑50nm,通过多元合金反应溅射形成;功能层,为溅射形成的铜功能层,其厚度依据方阻要求而设置。本发明解决现有铜膜附着力低、环境可靠性差的问题,铜膜常温附着力达5B级,双85、水煮、盐雾环境下仍保持4B级以上,且柔韧性优异,适用于柔性电子、电磁屏蔽等领域。
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