元の名称記録: 昆山金华安电子科技有限公司

本发明涉及高分子材料技术领域，具体为一种低方阻ITO专用PP保护膜及其制备方法。本发明克服了现有PP保护膜难以兼顾耐温性能和剥离性能的技术问题。本发明的保护膜由聚丙烯、低密度聚乙烯、聚烯烃弹性体、以及作为关键改性组分的改性纳米二氧化硅和含有聚硅氧烷的改性聚丙烯等原料制成。本发明通过在聚丙烯基体中引入β‑成核剂和改性纳米二氧化硅以提升耐温性和尺寸稳定性，同时利用改性聚丙烯中的聚硅氧烷调控剥离力，实现洁净剥离。本发明制得的保护膜兼具优异的耐温性和稳定的剥离性能，适用于高端ITO制程。