元の名称記録: 南京盛鑫半导体材料有限公司; 南京国盛电子有限公司

本发明公开了一种碳化硅外延片清洗方法，依次经过以下步骤：S1、超纯水与高压N水气二流体预清洗；S2、移入装有盐酸、氢氟酸、双氧水混合液的酸液槽处理；S3、移入装有氨水和双氧水混合液的1号碱液处理；S4、移入装有氨水、双氧水、两性表面活性剂混合液的2号碱液处理，且本步骤的混合液中氨水浓度低于步骤S3混合液中的氨水浓度；S5、温水慢提拉干燥；S6、红外加热烘干。通过以上多个步骤协同配合，提高碳化硅外延片清洗效果，有效降低外延片表面残留金属离子及颗粒数量。