中电科第三代半导体科技有限公司

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种碳化硅复合衬底及其制备方法和半导体器件。一种碳化硅复合衬底，包括碳化硅衬底、硅碳界面过渡层和金刚石层；碳化硅衬底表面设置有第一图形化区域和第二图形化区域；硅碳界面过渡层为硅纳米层和碳纳米层的复合层，硅纳米层分布于第二图形化区域，碳纳米层分布于第一图形化区域以及硅纳米层的表面。本发明的碳化硅复合衬底，碳化硅衬底的碳极性的界面与硅层可形成C‑Si‑C键，硅碳界面过渡层可强化界面原子匹配与强度，降低金刚石层生长难度与应力，增加界面面积提高热排散能力，实现碳化硅与金刚石的有效过渡，避免应力累积；可大幅提高碳化硅的热沉散热能力。