中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

本发明公开了一种具有应变率效应的抗冲击电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：使硼酸与端羟基二甲基硅油反应，制得剪切增稠胶；使硅橡胶预聚体与固化剂混合，得到交联前驱体；将剪切增稠胶与交联前驱体混合，并挤出得到未交联的剪切增稠胶膜；在导电结构层两侧表面设置未交联的剪切增稠胶膜后热压，实现未交联的剪切增稠胶膜的化学网络交联，同时与导电结构层进行复合，制得具有应变率效应的抗冲击电磁屏蔽复合薄膜。本发明制备的抗冲击电磁屏蔽复合薄膜体积小、重量轻，凭借剪切硬化胶组分可实现“常态下柔软‑冲击状态下硬化”的智能抗冲击性能，具有典型的应变率效应，可实现在宽波段300M‑40GHZ内的电磁屏蔽。

本发明提供一种水汽侧面渗透的区分量化测试方法及其应用。所述方法包括：提供测试结构；进行水汽侵蚀试验，记录水汽蔓延距离与时间的关系，计算得到表观扩散速率；基于表观扩散速率与厚度的关系，拟合得到水汽扩散系数和水汽饱和浓度；基于菲克第二定律分别计算粘结剂渗透量和界面渗透量。本发明通过构建不同厚度的测试器件进行测试，拟合粘结剂厚度与表观扩散速率的关系来得到水汽扩散系数和水汽饱和浓度进而计算得到粘结剂渗透量和界面渗透量，首次提出了能够量化分析两种水汽渗透途径的新型测试方法，能够科学地分析水汽在盖板封装中的侧面渗透情况，为提高电子器件的防潮性能、稳定性和可靠性提供理论依据，以延长其使用寿命。

本申请公开了一种数据的加密方法、解密方法、装置及安全协处理器，加密方法包括：获取明文对应的受限玻尔兹曼机的系统参数及校验信息；获取基于磁性隧道结器件的物理熵源生成的真随机数，并以真随机数作为根密钥；基于根密钥生成置换矩阵；将置换矩阵用根密钥加密，并存储在存储器中；利用置换矩阵对系统参数进行置换处理，得到密文。本申请通过磁性隧道结器件的物理熵源生成根密钥，彻底解决了伪随机密钥的隐患；全流程闭环集成于同一芯片内，密钥从未离开芯片，完全消除了密钥泄露风险；复用磁性隧道结器件为加密和解密提供熵源，有效降低能耗；解密时直接查表获取阈值，显著提高解密效率，满足实时解密需求。

本发明公开了一种光辅助有机液态正极材料及其制备方法与应用。所述光辅助有机液态正极材料包括：具有光转化与储能一体化的功能的光敏正极材料，包括至少含有偶氮基和羰基的有机化合物，在光照下能够参与电化学氧化还原反应，促进光生电子的生成和转移；以及，有机溶剂，至少用以溶解所述光敏正极材料。本发明提供的光辅助有机液态正极材料在光照条件下放电容量出现提高，电荷传输阻抗降低。并且，本发明通过溶剂化调控，在液态正极与水系电解液之间形成稳定的相界面，实现自发离子选择传输，无需隔膜即可维持高效离子迁移，降低电池内阻，提高能量密度，同时减少隔膜老化导致的安全风险。

本发明公开了一种纵向沟槽型MOSFET器件及其制备方法。纵向沟槽型MOSFET器件的制备方法包括：在衬底上形成层叠的n型外延层、p型沟道层，形成第一堆叠体；在第一堆叠体内形成第一槽状结构，第一槽状结构的槽口、槽底均位于p型沟道层；在第一槽状结构内生长n型掺杂层，形成第二堆叠体；自未被n型掺杂层覆盖的区域对p型沟道层进行退火处理，以激活p型沟道层内的受主杂质；在第二堆叠体内形成第二槽状结构，第二槽状结构的槽口位于n型掺杂层、槽底位于n型外延层内；制作源极、漏极和栅极。本发明采用二次外延形成n+GaN源区，无需刻蚀开窗激活p‑GaN，可以避免刻蚀开窗带来的影响。

本发明提供一种复合神经电极及其制备方法和应用。所述复合神经电极包括多孔纤维薄膜和多根复合纤维，其是将多根复合纤维固定于多孔纤维薄膜表面并卷曲形成；复合纤维包括导电纤维和绝缘封装层，导电纤维的第一端未被绝缘封装层覆盖的区域构成电极点；多孔纤维薄膜负载有药物且具有多级孔隙结构，其包括微米级纤维间孔隙以及纳米级纤维表面孔隙；复合神经电极的第一端部为由多个电极点构成的触点区域，复合纤维的第二端从复合神经电极的主体结构引出，中间区域被卷曲的多孔纤维薄膜包裹。本发明的复合神经电极具有多孔性、高通道密度和定点电极位点，适合应用于脑机接口领域。

本发明提供了一种光热耦合催化反应固氮方法、光热耦合催化膜及反应装置。所述方法包括：构建光热耦合界面传质反应体系，包括光热耦合催化膜、气相区域和液相区域；光热耦合催化膜包括透气支撑膜和催化层，催化层包含粘结剂和催化剂颗粒，催化剂颗粒具有催化核以及多孔二氧化硅壳层，壳层具有多个连通微孔；照射催化层发生反应，其中连通微孔对光具有散射及陷光作用。本发明通过气‑膜‑液宏观反应界面的设计来强化界面传质，使得催化剂充分暴露于激发光，确保活性位点对N分子和质子的充分接触，催化剂相互堆叠后构成陷光和散射结构，且有利于产生局部热效应，增强对于照射光的吸收和局部热效应，在反应速率的提升方面取得了明显进步。

本发明公开了一种三维矢量磁传感器及其制备方法，所述三维矢量磁传感器包括：衬底；功能层，位于衬底上，功能层包括第一区域和第二区域，第一区域的功能层中形成有霍尔传感单元，霍尔传感单元用于感测Z轴方向的磁场；绝缘层，位于衬底上且包覆霍尔传感单元和第二区域的功能层；第一XMR传感单元和第二XMR传感单元，间隔设置于绝缘层上，第一XMR传感单元用于感测X轴方向的磁场，第二XMR传感单元用于感测Y轴方向的磁场；其中，第一XMR传感单元和第二XMR传感单元设于霍尔传感单元上的绝缘层上，或第一XMR传感单元和第二XMR传感单元设于第二区域的功能层上的绝缘层上。本发明的三维矢量磁传感器能够实现X、Y、Z三轴方向磁场的灵敏探测。

本发明公开了一种基于图像分块与特征分层的视觉特征匹配方法及系统。方法包括：将第一图像、第二图像分别划分为多个第一子图像块、第二子图像块；对于各第一子图像块和各第二子图像块：若二者特征向量之间的相似度高于第一阈值，将二者添加至候选集合；提取候选集合中每一子图像块的特征点及其相应的描述子，并将与同一图像对应的描述子组合起来，得到第一描述子矩阵和第二描述子矩阵；根据第一描述子矩阵和第二描述子矩阵，利用自注意力机制和交叉注意力机制计算得分矩阵；根据得分矩阵对候选集合中第一子图像块和第二子图像块进行匹配，拼接各匹配结果得到第一图像和第二图像的特征点匹配结果。本发明提高了特征匹配的精度、效率、可靠性。

本发明公开了一种垂直晶体管的外延结构及其制备方法和应用，属于半导体材料生长技术领域。本发明提出了AlN/GaN复合阻挡层方案与有机卤化物原位刻蚀相结合的新方法来制备高性能CAVET外延结构，本发明采用的AlN/低温GaN复合阻挡层设计，充分利用AlN的高键能优势，降低Mg原子在阻挡层中的扩散系数，可以减少阻挡层厚度。同时AlN具有的高临界击穿场强可以进一步提升器件耐压。本发明提出的构建CAVET的外延结构的方法，不仅可以有效提升二维电子气的迁移率与密度，还可以实现低杂质含量与低损伤的高质量二次外延界面，有效提升器件的正向特性与反向特性。