№ CN121339130A発明
有効一种半导体级石英坩埚低损伤清洗方法、系统、清洗液
本发明公开了一种半导体级石英坩埚低损伤清洗方法、系统、清洗液,本发明涉及半导体材料加工技术领域,包括:配置粗洗酸液,粗洗酸液由质量百分比为3.0‑3.8%的HF、0.15‑0.25%的硫脲和余下的水组成;粗洗处理:将石英坩埚浸泡于粗洗酸液中;配置精洗酸液,精洗酸液由质量百分比为0.4‑0.7%的HF、7.5‑9.5%的柠檬酸、0.35‑0.45%的烷基糖苷、0.04‑0.06%的苯并三氮唑和余下的水组成;精洗处理:将粗洗处理后的石英坩埚置于精洗酸液中并进行超声波处理。本发明在相同清洗效率下实现:石英羟基和坩埚表面金属含量降低至传统工艺的1/5和1/10以下;酸液消耗量减少,符合半导体行业绿色制造标准;降低了坩埚表面粗糙度。
❖眉山和润新材料科技有限公司晏美仁; 张龙龙§ 3/10 請求項B08B 9/08 (2006.01), B08B 13/00 (2006.01)9