№ CN122936005A発明
不明半导体存储装置
SRAM单元包括有源区(N3)和电源布线(13)。在有源区(N3)形成有读出驱动晶体管(RPD),电源布线(13)形成在背面布线层,在俯视时与有源区(N3)具有重叠部分,供给电源电压VSS。相当于读出位线(RBL)的布线(63)形成在金属布线层。
❖株式会社索思未来广濑雅庸Oct 16, 2026§ 2/17 請求項H10B 10/00 (2006.01), H10D 62/10 (2006.01), H10D 89/10 (2006.01)12