元の名称記録: 日月光半导体制造股份有限公司

本发明公开一种光学封装结构及其制造方法，所述光学封装结构包含衬底、光学元件、间隔件及封装体。所述衬底具有顶面。所述光学元件邻近于所述衬底的所述顶面，且具有第一高度H。所述间隔件包围所述光学元件且具有顶面。所述衬底的所述顶面与所述间隔件的所述顶面之间的距离定义为第二高度H。所述封装体位于所述光学元件与所述间隔件之间，且在邻近于所述光学元件的位置具有第三高度H。所述封装体覆盖所述光学元件的至少一部分。所述光学元件从所述封装体暴露，且H>H≥H。

本申请涉及半导体封装结构和组装结构。一种半导体封装结构包含蒸气腔、多个电接点、半导体裸片和封装体。所述蒸气腔界定用于容纳工作液体的封闭室。所述电接点围绕所述蒸气腔。所述半导体裸片安置在所述蒸气腔上并且通过多条接合线电连接到所述电接点。所述封装体覆盖所述蒸气腔的一部分、所述电接点的部分、所述半导体裸片和所述接合线。

本发明的至少一些实施例涉及半导体装置封装和其制造方法。所述半导体装置封装包含：第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二衬底，其邻近于所述第一衬底的所述第一表面；以及囊封物，其囊封所述第一衬底和所述第二衬底。所述第一衬底界定空间。所述第二衬底覆盖所述空间。所述第一衬底的所述第二表面由所述囊封物暴露。所述囊封物的表面与所述第一衬底的所述第二表面共面或突出超出所述第一衬底的所述第二表面。

本公开提供一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一温度敏感结构、一第一多层结构及一第二多层结构。该温度敏感结构具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面。该第一多层结构安置于该温度敏感结构之该第一表面下方且经组态以响应于一第一温度变化而产生一第一残余应力。该第二多层结构安置于该第二表面上方且经组态以响应于一第二温度变化而产生一第二残余应力。该第二残余应力实质上消除该第一残余应力，使得该温度敏感结构、该第一多层结构及该第二多层结构构成一温度敏感度较低的结构。

本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含电路结构、电子组件、柔性导电层和导电元件。所述电路结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述电子组件位于所述第一表面下方。所述柔性导电层位于所述第二表面上方。所述导电元件朝向远离所述第二表面的方向延伸并且连接到所述柔性导电层。所述导电元件嵌入在至少两种不同的材料内。