元の名称記録: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

本发明提供了一种多彩普鲁士蓝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括将表面覆有金属层的导电材料置于普鲁士蓝前驱体溶液中，在金属层的表面原位生长普鲁士蓝膜层，得到普鲁士蓝膜层‑金属层‑导电材料层的复合体，即为多彩普鲁士蓝薄膜。本发明提供一种多彩普鲁士蓝薄膜，首先在导电玻璃的表面溅射一层金属层，一方面解决普鲁士蓝与导电玻璃粘附力差的问题，另一方面，将普鲁士蓝原位生长于金属层的表面，使金属与铁离子形成电势差，进而使普鲁士蓝在金属层表面逐层生长，利用普鲁士蓝层厚度的不同从而能够实现多色彩薄膜的构建并且该多色彩薄膜在电压的驱动下可以实现颜色的变化，进一步丰富其色域；本发明的技术方案具有普适性，且制备方法简单，成本低廉，有广泛的应用前景。

本发明提供了一种含氟离子液体及其制备方法和应用，所述含氟离子液体为季铵盐类化合物，所述季铵盐类化合物的结构通式为，其中为含氮杂环基团，R为烃基，R为含氟烷基，X为阴离子。本发明通过在离子液体侧链引入氟原子，有效地削弱了溶剂与锂离子间的溶剂化作用，降低了离子迁移阻力，提高了离子电导率；并且，将该含氟离子液体与锂盐、稀释剂按比例混合后，获得的局部高浓度电解液不可燃，有效地提高了电池的电化学性能和安全性能。

本发明公开了一种实时检测活细胞内LncRNA‑RBP空间异质性的方法及其应用。所述功能化的纳米针含有纳米针阵列芯片和发夹DNA探针。本发明的纳米针可以实时检测活细胞内长链非编码RNA以及RBP空间异质性做到对lncRNA‑RBP复合物进行全面的定量分析，能够追踪活细胞内lncRNA和RBP的多重谱，捕获lncRNA和RBP在不同生物过程中的动态交互异质性。

本发明公开了一种锂离子电池正极材料及其光热回收方法与应用。所述光热回收方法包括将废旧锂离子电池正极材料、锂源与溶剂混合均匀后，进行光热补锂，得到再生的锂离子电池正极材料。本发明提供的光热回收方法可以在光热过程中实现锂补充与相修复，实现了废旧锂离子电池正极材料的直接再生，回收修复的正极材料的成分、结构和电化学性能与商用材料相当；而且显著缩短了补锂的时间，降低了反应的温度与压力，减少了能源损耗和再生成本，对环境十分友好，可广泛应用于制备锂离子电池正极或者锂离子电池领域中。

本发明公开了一种电子器件结构及其制备方法和应用。电子器件结构的制备方法包括：提供第一导电类型的第一半导体层，在第一半导体层的选定区域形成至少一槽状结构；在槽状结构内形成电场抑制层，电场抑制层分布在槽状结构的槽底转角区域，并形成衔接侧壁与槽底的圆润过渡结构，和/或，电场抑制层连续覆盖槽状结构的侧壁、槽底和槽底转角区域，并作为外延生长第二半导体层的外延界面；在槽状结构内外延生长第二导电类型的第二半导体层。本发明通过在槽状结构内形成电场抑制层进行性能加固，缓解了电场集中，降低了峰值电场，降低了器件漏电。

本申请公开了一种用于正丁烷直接脱氢的分子筛催化剂及其制备方法和应用，制备方法包括：将第一金属前驱体、第二金属前驱体、结构导向剂和硅源分散在水中，得到第一溶液，其中，第一金属前驱体为Pt源；将第一溶液在密封环境下加热搅拌，得到第二溶液；向第二溶液中滴加含氟化合物溶液，升温搅拌，得到第三溶液；将第三溶液转移至水热反应釜中进行静态晶化；收集结晶产物洗涤干燥，之后高温煅烧，得到分子筛催化剂。本申请通过原位负载策略‑一锅法制备分子筛催化剂，能够将金属活性中心锚定于分子筛孔道内，利用分子筛孔道和笼状结构严格限制了金属原子的迁移和团聚，形成亚纳米级尺度Pt‑M颗粒，使金属活性位利用率高。

本发明公开了一种基于纳米划痕法的氮化镓磨抛表面损伤层厚度的评估方法，其包括：获取抛光液中单颗磨粒的磨粒划痕参数；其中，所述抛光液用于对氮化镓晶圆进行抛光处理；根据获取的磨粒划痕参数确定纳米压痕仪的纳米划痕参数；利用纳米压痕仪根据确定的纳米划痕参数在小尺寸的氮化镓晶圆表面上制备相应状态的划痕，从而评估出氮化镓晶圆磨抛表面的损伤层厚度。本发明将大量实际工艺参数映射为纳米划痕单次实验参数，实现“小样本模拟大过程”。进一步地，本发明仅需小尺寸试样(10×10mm量级)即可评估整片晶圆损伤状态。更进一步地，本发明的评估方法适用于不同抛光工艺(不同粒径、转速、时间)的快速评估。

本发明公开了一种基于热驱动循环训练的碳管聚合物复合材料增强方法。所述增强方法包括：提供碳纳米管聚合物复合材料；对所述碳纳米管聚合物复合材料施加持续的牵伸力，同时使所述碳纳米管聚合物复合材料的温度在第一温度和第二温度之间往复循环进行热循环处理，其中所述第一温度低于所述第二温度。本发明通过反复地升降温，结合热循环处理过程中的持续牵伸，使复合材料内部的碳纳米管与聚合物链段在热力耦合环境下逐步发生链段运动、取向、重排并形成更致密的结构；这种“热致软化2机械训练2冷却固化”的动态过程有效促进了复合材料中界面结合与取向度提升，显著提高了复合材料的力学性能，如拉伸强度、杨氏模量等。

本发明公开了一种n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法。n型氮化镓肖特基界面处理方法包括：以第一氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行清洁处理；在真空环境中，以氮等离子体对n型氮化镓的肖特基界面进行反应修复处理；以第二氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行钝化修复处理，第二氨水稀释溶液的浓度小于第一氨水稀释溶液的浓度。本发明可解除n型氮化镓的Ga‑O键，除去自然氧化层，修复表面缺陷态，减小表面杂质元素含量，改善表面形貌和性状，降低表面陷阱态密度，进而实现更为适合肖特基制备的界面状态，基于此制备的GaN肖特基二极管开启电压有效降低、泄漏电流得到改善，整体性能得到提升。

本发明公开了一种零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及其应用。该方法首先通过设计HEMT器件结构，并调整器件参数，使跨导峰值电压控制在0±50 mV范围内。与传统方法相比，本发明通过直接调控器件参数（如势垒层厚度、沟道层成分比例），即可使跨导峰值电压接近0 V，从而在无需外加栅压的情况下实现器件在跨导最大区工作。这样不仅简化了电路设计，避免了复杂的线路布局，同时还能保持二维电子气不受损伤，维持其高电子迁移率。此外，该方法还能够有效降低功耗与噪声，避免因栅压漂移引起的工作点不稳定，显著提升探测器的长期稳定性和可靠性。

本发明公开了一种微型光电子芯片及其制造方法与应用。所述微型光电子芯片包括：半导体结构层，包括依次层叠在衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层；分布在半导体结构层内的离子注入区，用于在半导体结构层内电学隔离出阵列排布的多个光电子芯片结构；隔离槽，整体开设在相应离子注入区内，并至少用于将任意两个相邻光电子芯片结构的第二掺杂半导体层相互隔离，且隔离槽的内壁与相应离子注入区的外壁之间存在间距；挡光结构，设置在隔离槽内，至少用于阻止光通过第二掺杂半导体层在任意两个相邻光电子芯片结构之间传输。本发明可以有效消除微型光电子芯片阵列内的光串扰问题，使其具有优良的光电转换效率和显示效果。

本发明提供一种电解液及其制备方法和锂离子电池，更具体涉及一种醚类电解液及其制备方法和锂离子电池。所述电解液包括醚类溶剂、锂盐和添加剂，所述锂盐包括二氟草酸硼酸锂，所述添加剂包括氟代碳酸酯类化合物。本发明通过对电解液的具体组成进行设计，进一步通过特定锂盐和特定添加剂的使用，制备得到了具有优异综合性能的醚类电解液，进而制备得到了综合性能优异的锂离子电池。

本发明公开了一种基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用。基于MFM的存储与显示一体化器件包括依次层叠设置的半导体基片、底电极、铁电功能层以及顶电极，所述底电极、所述铁电功能层和所述顶电极配置形成金属‑铁电‑金属结构，所述底电极与顶电极配置形成法布里‑珀罗腔。本发明通过MFM结构将存储单元与显示单元一体化集成，可以降低功耗，提高响应速度，有利于系统微型化，且同时也可以满足将数据存储与颜色输出直接关联，实现“存算显一体”的元器件需求。

本发明公开了一种纵向沟槽型MOSFET器件、制备方法及应用。该器件包括：外延结构，具有相背的第一面和第二面，包括沿从第二面指向第一面的方向依次层叠设置的漂移层、沟道层和源区层；第一凹槽，开设在外延结构第一面的源区内，槽底位于漂移层表面或内部，第一凹槽的侧壁为台阶式结构，且台面位于沟道层表面或内部；Mg扩散层，至少覆盖漂移层和沟道层暴露在第一凹槽内的区域上；肖特基接触结构，覆盖在Mg扩散层上，与沟道层形成欧姆接触，与漂移层形成肖特基接触；源极，至少部分设置在第一凹槽内，且覆盖在肖特基接触结构上，并与源区层形成欧姆接触。本发明可降低其在DC‑DC电路中的续流损耗，并提高器件的可靠性。

本发明提供了一种温敏性气凝胶中空纤维膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：准备壳层纺丝液和核层纺丝液，壳层纺丝液包括纤维和温敏致孔剂；采用同轴湿法纺丝法，将壳层、核层纺丝液挤入到凝固浴中，使壳层纺丝液在凝固浴中发生动态溶胶凝胶转变和微乳液诱导自组装相分离，得到中空凝胶纤维膜，然后对其进行溶剂置换、干燥，得到温敏性气凝胶中空纤维膜。该温敏性气凝胶中空纤维膜具有双温敏响应特性，基于不同的凝胶温度能够形成不同尺寸的孔结构，且在油水分离时可原位形成自供给/自润湿多孔限域功能液体层，该液体黏附的多孔能够基于不同温度自适应调节孔径大小，该材料可应用于多种情况的油水分离、含油废水处理、过滤等领域。

本发明公开了一种三态流体、其制备方法及应用。所述三态流体包括：水相、高分子增稠剂、表面活性剂和疏水气凝胶颗粒，所述高分子增稠剂、表面活性剂和疏水气凝胶颗粒均匀分散在水相中，所述疏水气凝胶颗粒在水相中形成连续的三维网络，所述三态流体具有固‑液‑气三相态连续互穿的结构特性。本发明的三态流体兼顾气凝胶低密度超轻质特性与流体材料流动性等，解决了超轻质气凝胶材料在高密度流体中的均匀分散问题，并操纵气凝胶颗粒在流体中形成动态稳定的连续固‑气网络，在减震阻尼、高性能隔热材料成型等方面表现出优异性能，为制备新型流体材料提供新思路。

本发明公开了一种基于纳米压痕连续刚度法的表面划痕密度评估方法及应用。所述评估方法包括：提供抛磨表面；对抛磨表面的多点进行纳米压痕测试并连续记录接触刚度，获得多个接触刚度‑压入深入曲线；以多个刚度‑压入深度曲线的统计特性为依据，表示出抛磨表面的划痕密度。本发明以接触刚度随压入深度分布的统计特性作为划痕密度的判据，将表面划痕密度的评估从依赖视觉图像转向基于力学参数的客观量化，无需依赖光学成像的景深与对比度调节，避免图像处理中的阈值主观性，通过物理量的统计分布客观反映划痕密度，无需复杂数据训练，解决了现有技术中成像局限和主观判断的问题。

本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法。氮化镓基半导体器件包括：具有异质结的半导体功能层，以及与异质结匹配的源漏栅结构或源漏结构；氮化镓基半导体器件还包括二维电子气调节层；二维电子气调节层为SiGe混合层，0≤x≤1，设置在半导体功能层上，厚度为亚原子层厚度及以上厚度，至少用于降低异质结的表面电势，使得异质结中二维电子气的浓度升高，从而减小异质结中二维电子气的方阻。本发明通过在半导体功能层表面设置SiGe混合薄层，实现二维电子气方阻连续可调，且不会影响器件性能和工艺灵活性，可调控性更高。