半导体元件工业有限责任公司

公开了一种具有正交屏蔽层的超结晶体管。晶体管包括具有第一导电类型的源极区、在源极区下方并且具有第二导电类型的阱区，以及在阱区下方并且具有第一导电类型的电流扩展层。晶体管包括在沟槽中形成并且以条纹栅极图案设置的栅极。晶体管还包括位于电流扩展层下方的具有第一导电类型的过渡区和具有第二导电类型的屏蔽区。过渡区和屏蔽区以与条纹栅极图案成角度偏移的条纹过渡区图案交替地设置。晶体管还包括在屏蔽区和过渡区下方的超结区。超结区包括以条纹超结图案交替地设置的n型柱和p型柱，该条纹超结图案与条纹过渡区图案成角度偏移。

本申请提供了封装件和从半导体器件封装件散热的方法，该封装件包括包封至少一个半导体管芯的模制主体。微通道部件嵌入模制主体的表面中，其中歧管区域暴露在模制主体的表面上。歧管区域具有通向微通道的开口，这些微通道从歧管区域延伸穿过微通道部件的厚度。