元の名称記録: 上海华虹宏力半导体制造有限公司; 华虹半导体（无锡）有限公司

本发明提供了一种闪存阵列的编程方法，对选定存储单元的选定存储位进行编程时，对所述选定存储单元的选定存储位所对应的所述控制栅线施加第一电压；对与所述选定存储单元相邻的非选定存储单元的预设存储位所对应的所述控制栅线施加第二电压；其中，所述预设存储位和所述选定存储位位于同一列的相邻行；通过控制非选定存储单元的预设存储位施加的第二电压，减少对与选定存储单元位于同一列的相邻行的非选定存储单元的串扰。

本发明提供一种闪存器件及其制作方法中，在刻蚀所述栅极叠层，形成浮栅和控制栅的同时，继续刻蚀部分厚度的衬底，保证后续形成源漏区低于沟道表面，改善共位线接触孔相邻行的编程串扰，且该制作工艺上可以无需新增掩膜，且可以通过调整轻掺杂源漏区的离子注入角度，纵向连接沟道和源漏,从而降低沟道电阻。