元の名称記録: 常州银河世纪微电子股份有限公司

本发明公开了一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺：S1、提供碳化硅外延片；S2、对碳化硅外延片清洗；S3、对碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，生长牺牲氧化层，再剥离牺牲氧化层；S4、最在生长栅氧化层之前，使用氢氟酸溶液对碳化硅外延片最后一次清洗，去除自然氧化物，获得洁净、氢终端化的碳化硅表面；S5、采用干氧‑湿氧‑干氧组合氧化工艺，在碳化硅外延片的表面生长栅氧化层；S6、栅氧化层生长后对其氮等离子体处理；S7、将处理后的碳化硅外延片高温退火；S8、多晶硅栅极沉积、光刻、刻蚀、源漏区离子注入与激活、介质层沉积、接触孔刻蚀以及金属化工序，获得碳化硅MOSFET器件。