元の名称記録: 中国电子科技集团公司第五十四研究所; 北京邮电大学; 辽宁工业大学

本发明公开了一种太赫兹波段并联电容式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁中间触点结构，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，石英玻璃衬底，共面波导金属地和金属地组成。直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁桥墩位置及金属电极，共面波导金属地中间部分设有桥，桥下用于通过直流偏置线，该直流偏置线上表面设有氮化硅绝缘层，防止短路损毁器件，且适当引入曲折结构，防止射频信号泄漏。本发明设计的金属梁MEMS开关实现低驱动电压、低插入损耗、高隔离度、微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变，结构简单，易于制造。