北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司

一种光电探测器及其形成方法，结构包括：基底，基底包括第一传输区；波导叠层结构，位于第一传输区的基底顶部，波导叠层结构包括多层波导层；光吸收层，位于相邻波导叠层结构中，且光吸收层两侧的波导叠层结构的掺杂类型不同，光吸收层的侧壁与波导叠层结构相接触。在第一波导区的基底顶部形成多层波导层，使光电探测器的带宽得到增大的同时还能使光电探测器能够承受更大的入射光功率，从而提高了光电探测器的性能和可靠性。

本申请提供一种晶圆边缘曝光装置，包括：晶圆旋转系统，用于带动晶圆旋转并发送晶圆的旋转角度，所述晶圆旋转系统包括用于承托所述晶圆的吸盘；曝光系统，包括曝光镜头，与光源连接，用于对所述晶圆边缘进行曝光；以及直线模组，与所述曝光镜头连接，被配置为带动所述曝光镜头沿第一方向往复运动；晶圆偏心检测系统，包括传感器，所述传感器用于检测所述晶圆的中心点，获取所述晶圆的偏移量并发送所述偏移量；控制器，被配置为根据所述旋转角度和所述偏移量控制所述直线模组带动所述曝光镜头移动至工作位置。本申请提供的晶圆边缘曝光装置能够对晶圆边缘曝光过程进行纠偏同时不影响晶圆承托设备的使用安全。

一种光电探测器及其形成方法，探测器包括：开口，贯穿第一介质层和部分基底；第一扩散层，位于开口的侧壁，第一扩散层中掺杂有第一型离子；第二扩散层，与第一扩散层相背离且覆盖开口的侧壁，第二扩散层中掺杂有第二型离子；光吸收层，位于开口的剩余空间中且覆盖第一扩散层侧壁和第二扩散层侧壁；第一型掺杂区，位于光吸收层的侧壁，且第一型掺杂区由第一扩散层中的第一型离子扩散形成；第二型掺杂区，位于光吸收层的侧壁，且第二型掺杂区由第二扩散层中的第二型离子扩散形成。在开口设置第一扩散层和第二扩散层，在降低光吸收层的侧壁往基底中侧掏的同时，使光吸收层两侧的载流子传输距离得到减小，提高光电探测器的带宽。