元の名称記録: 深圳市星耀半导体有限公司

一种晶圆缺陷检测与调控的方法、系统、介质及产品，涉及半导体技术领域。方法包括：采集晶圆的切割边缘的微观形貌图像数据与材料结构光谱数据；将微观形貌图像数据的深度几何特征与材料结构光谱数据的深度光谱特征进行融合生成复合缺陷特征向量；根据复合缺陷特征向量得到缺陷的类别与严重等级，将类别与严重等级作为输入参数输入基于有限元分析的应力仿真模型得到包含应力集中情况的应力分布预测结果，基于应力分布预测结果，从预设的调控策略库中匹配并输出能优化应力集中情况的调控策略标识；根据调控策略标识，生成包含具体工艺参数的调控指令，并将调控指令发送至下游封装设备或修复单元。实施上述技术方案，能够准确检测晶圆缺陷。

一种基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质，涉及数据处理技术领域。该方法包括：通过获取NAND闪存数据块的访问频率、类型和时间间隔等访问数据，计算访问热度值并进行缓存优先级分类。根据各优先级的数据块数量，动态调整扩展缓存层与NAND闪存中缓存区的容量分配比例，确定待迁移数据块。利用硅中介层的TSV通孔阵列和交叉开关矩阵建立缓存通道，规划缓存优化路径。当缓存通道带宽使用率超过阈值时，根据偏差率调整优化路径。最后基于优化路径执行数据块的缓存迁移操作。实施本申请提供的技术方案，实现了闪存数据的智能缓存管理，能够提高存储系统的缓存效率。