昆明宇泽半导体有限公司

本申请涉及磷化铟晶体生长技术领域，具体涉及一种用于磷化铟晶体生长的精准测温防爆外壳及测温方法，包括碳碳复合材料制备的防爆外壳本体、设置于外壳与石英安瓿之间的柔性石墨导热垫层、以及集成于外壳中的双传感复合测温阵列。防爆外壳本体呈筒状结构仿形包覆石英安瓿，外侧套装碳碳捆带协同约束径向扩张；柔性石墨导热垫层保证测温元件与安瓿外壁零间隙贴合；双传感复合测温阵列实现离散定点与轴向周向全域连续测温的一一配对。本申请通过双传感实时校准与多层热阻耦合反演算法，将熔体真实温度精度控制在±0.3℃以内，并结合分级热异常主动防爆联锁系统区分三类热异常工况执行差异化响应，实现磷化铟晶体生长全过程的安全防护与精准温度控制。