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一种具有高磁导率低铁磁共振线宽的微波铁氧体材料及其制备方法，属于电子信息材料及微纳电子领域。所述的具有高磁导率低铁磁共振线宽的微波铁氧体为尖晶石结构；具体提供了一种通过Zn离子占据A位提升磁导率、In离子改性铁磁共振线宽的方法，制备出高磁导率、低铁磁共振线宽，同时保持高的饱和磁化强度和低的磁损耗的铁氧体材料，即磁导率μ'为700‑900，磁损耗正切tanδ为10～10，饱和磁化强度4πMs为4200Gs～4900Gs，铁磁共振线宽ΔH为80Oe～110Oe，该材料可以实现微波器件的低插入损耗、大工作带宽和小整体尺寸的优点，同时本发明也详细介绍了其制备工艺。本发明首次提出在ZnFeO中掺杂In离子，实现高磁导率和低铁磁共振线宽的目标，通过这种方式，实现了材料在高磁导率和低铁磁共振线宽的基础上，同时保持了材料的高饱和磁化强度和低磁损耗的特性，满足了5G高频通讯和集成电路系统中微波器件的应用需求，这些特性为推动无源电子元件向更紧凑、更集成、更多功能化的方向发展，提供了一个实用且有效的解决方案。