元の名称記録: 弗萨姆材料美国有限责任公司

公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。

本发明涉及用于(a) 形成含硅膜和(b) 将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面，提供了如本文所描述的式I的前体和/或式II的前体。

提供了一种通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物。在一个方面中，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室中，所述气体试剂包括至少一种结构形成前体而具有或不具有成孔剂，所述结构形成前体包含烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初始膜，其中所述初始膜包含该成孔剂，并且所述初始膜被沉积；和从所述初始膜除去其中包含的所述成孔剂的至少一部分，并且向所述膜提供孔和3.2或更小的介电常数。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。