元の名称記録: 北京微电子技术研究所; 北京时代民芯科技有限公司

本发明公开了一种用于比较器前台校准的抖动注入电路，包括：增益放大器电路、电阻反馈网络电路、电流镜电路、电流选择开关电路、分流电阻和电阻串电路；其中，所述增益放大器电路分别与所述电阻反馈网络电路和所述电流镜电路相连接；所述电阻反馈网络电路、所述电流镜电路和所述电流选择开关电路分别与所述分流电阻相连接；所述电阻串电路分别与所述分流电阻和所述电流选择开关电路相连接。本发明实现对dither(抖动)注入幅度的精确控制。

本发明公开了一种用于PSoC内多电源上电的低压差线性稳压器关断电路，包括电压域切换电路、栅压控制信号产生电路和功率管关断电路。本发明利用电压域切换电路生成跨电压域电源信号，采用栅压控制信号产生电路控制功率管关断电路保证在RF‑PSoC内多电源上电阶段LDO处于严格关断状态，避免PSoC内由于多电源上电造成的使能信号无法完全关断LDO情况。

本发明涉及一种可配置参数化的FFT实现系统，属于数字信号处理领域，该FFT系统包括APB和ADC控制模块、数据流控制模块、FFT顶层计算模块、FFT流水计算模块、最大值及大于阈值输出模块；本发明具有多个可配置参数，具有很大的灵活性，支持来自APB总线和ADC不同时钟域下的计算，支持更新值与点数值不一致的计算，解决了原有FFT实现方法中，只支持来自一种时钟域下的数据计算，数据更新值需与计算点数一致的问题；该FFT系统功能强大且支持多种应用场景，集成于SoC系统时，可应用于通信、雷达、音频、图像处理等领域。

本发明公开了一种硅基感知‑存储一体化集成芯片，由硅基感知器阵列和存储器阵列沿垂直方向自上而下集成；硅基感知器阵列位于上方，其输入端作为芯片的输入端，接收入射光信号；存储器阵列位于下方，其输入端与感知器阵列的输出端通过工艺集成方式连接，其输出端作为芯片的输出端。本发明还公开了上述集成芯片的制备方法，包括正面工艺：保护环注入、光敏面注入、增透膜结构及正面电极制备；背面工艺：感知器输出端制备，在感知器输出端上制备“介质材料‑电极”，再通过光刻形成存储器阵列层。本发明实现了感知器阵列层与存储器阵列层垂直方向一体化集成，全工艺过程与硅工艺兼容，对推动感存算一体化芯片发展具有重要科学意义和广泛的应用前景。