北京铭镓半导体有限公司

本发明公开了一种磷化铟多晶合成装置及方法。装置中，炉体内部设有经连通口连通的第一炉腔和第二炉腔。阻隔管贯穿连通口，并与连通口的内周壁密封连接，阻隔管的内部设有经接通口连通的第一管腔和第二管腔，第一管腔设于第一炉腔内，第二管腔设于第二炉腔内。石英管贯穿接通口，并与连通口的内周壁密封连接，石英管的内部设有石英帽，石英帽将石英管的内部空间分隔为磷腔和铟腔，并允许磷腔内的气态磷定向流入铟腔，且磷腔设于第一管腔内，铟腔设于第二管腔内。本发明实现了磷腔和铟腔外气压的分区管控，使得石英管承压始终在安全范围，彻底解决石英管高温高压爆管、喷料问题，保护加热器、热电偶，降低设备维修频率。

本发明公开了一种β‑氧化镓导模法单晶生长装置及方法。装置中，模具上的毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，模具的上表面上设有开槽，开槽开设在毛细狭缝的两侧，开槽平行于毛细狭缝，开槽的两端分别延伸至模具的上表面两端，毛细狭缝两侧的开槽的距离等于β‑氧化镓单晶的设计厚度。本发明通过设置毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，解决了宽幅熔体供给不均问题，还通过设置开槽，消除边缘孪晶、开裂缺陷，彻底抑制贯穿孪晶，从而实现4~6英寸大厚度无孪晶氧化镓板状单晶稳定制备，省去大量切片损耗，原材料利用率显著提升，适配工业化大批量生产。