元の名称記録: 艾德亚半导体接合科技有限公司

一种组件包含基板，该基板包含第一侧及与该第一侧相对的第二侧。第一介电层形成在该第一侧上，且数个导电垫延伸穿过该第一介电层。第二介电层形成在该第二侧上，且数个导电垫延伸穿过该第二介电层。数个电容器各自形成在至少部分地自该基板的该第一侧朝向该第二侧延伸的开口中。这些电容器中的各电容器包含至少三个电极。该数个电容器中的至少一个在该第一侧上耦合至该第一介电层的导电垫且在该第二侧上耦合至该第二介电层的导电垫。

光学部件可以包括第一光学元件和设置在第一光学元件之上的第二光学元件。通过第一光学元件的至少一部分的第一光学通道可以在光学部件的第一侧处的第一端口与光学部件的第二侧处的第二端口之间延伸。通过第二光学元件的至少一部分的第二光学通道可以在光学部件的第一侧处的第三端口与第四端口之间延伸。第一端口和第三端口沿着第一侧被间隔开第一距离，并且第二端口和第四端口沿着光学部件的外部表面被间隔开第二距离。第一距离与第二距离不同。

一种半导体元件在混合接合表面的导电特征之上提供有微结构金属层。微结构金属层包括细金属晶粒微结构，诸如纳米晶粒。通过提供金属氧化物并且将金属氧化物还原为金属，可以在导电特征之上形成微结构金属层。如果金属氧化物是通过氧化形成的，则可以选择性地形成微结构金属层。当直接与另一个元件接合时，在接合界面处形成强接合的微结构金属层可以大大降低退火温度。

一种装置封装包括整合式冷却组件。所述整合式冷却组件包括半导体装置以及附接至所述半导体装置的冷板。所述冷板包括顶端部分以及水平相邻所述顶端部分的底部部分。所述顶端部分包括上方凹处分隔器，其向下延伸以定义上方凹处容积。所述底部部分包括下方凹处分隔器，其向上延伸以定义下方凹处容积。所述上方凹处分隔器以及所述下方凹处分隔器横跨所述冷板的水平长度交替。

本揭露内容提供包含整合式冷却组件的整合式冷却系统。所述整合式冷却组件包含半导体装置，其具有主动侧以及和所述主动侧相反的背侧。所述整合式冷却组件包含多个堆叠且接合的层，其全体构成冷板，所述冷板包括(i)第一侧以及和所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧具有基底表面、支撑特点，其是从所述基底表面向下延伸、以及侧壁，其是从所述基底表面向下延伸并且围绕基底表面及所述支撑特点、以及(ii)垂直穿过所述支撑特点而设置的第一互连，其中所述第一互连通过在所述冷板与所述半导体装置之间形成的直接混合接合来电耦接至所述半导体装置。

一种器件，包括第一集成器件管芯和半导体器件。第一集成器件管芯可以包括管芯绝缘层和至少部分地嵌入该管芯绝缘层中的管芯导电特征。半导体器件可以包括在第一表面上的第一绝缘层、至少部分地嵌入该第一绝缘层中的器件导电特征以及电连接到该器件导电特征的第一重掺杂半导体材料。该管芯导电特征可以穿过至少第一重掺杂半导体材料而连接到功率或接地。