元の名称記録: 西安龙飞电气技术有限公司

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，器件从下至上包括：漏极金属、N+型碳化硅衬底、第一N‑型碳化硅外延层、第二本征型碳化硅外延层、层间绝缘介质和源极金属；在第二本征型碳化硅外延层内有P型体区和N+型源区，N+型源区旁有P+型源区；有纵向沟槽贯穿第二本征型碳化硅外延层至第一N‑型碳化硅外延层内，纵向沟槽底部和至少部分侧壁被P‑型柱区包覆；纵向沟槽内有被层间介质隔离分立的上多晶硅和下多晶硅，上多晶硅上表面被层间绝缘介质覆盖，侧面被栅氧化层包覆；下多晶硅两侧和底部被屏蔽栅氧化层包裹，从而与P‑型柱区隔离。本发明能保护屏蔽栅氧化层，提高器件可靠性，降低器件导通电阻。

本发明公开了一种可灵活切换保护模式的电源控制电路，属于开关电源保护技术领域，包括恒功率控制单元和打嗝保护控制单元；恒功率控制单元在过流很小的状态下实现了功率输出；打嗝保护控制单元在过流过大甚至短路的状态下实现了打嗝输出的模式。本发明引入了恒功率控制单元和打嗝保护控制单元；利用恒功率控制单元在过流较小的状态下实现稳定的功率输出，利用打嗝保护控制单元在过流过大甚至短路的状态下实现打嗝输出的模式；通过提供短期实现瞬时过功率、长期实现打嗝保护功能的电源控制，在同时满足恒功率输出与打嗝保护的功能下，还可以显著提高被控电源的可靠性和适应性。