元の名称記録: 株式会社国际电气

本发明提供能够抑制异物向阀芯的附着的流量控制机构。流量控制机构具有阀芯和驱动部，所述阀芯被支承为能够以与在处理气体的流路内气体流动的方向相交的方向为轴进行旋转，所述流路的至少一部分由配管形成，所述阀芯被加热成温度高于所述配管，使所述阀芯的表面中的至少一部分的辐射率成为所述配管的内表面的辐射率以下，所述驱动部使所述阀芯旋转，使所述流路的开度变化。

本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地调节吸附于衬底表面上的抑制剂的状态的技术。具有：(a)准备衬底的工序，所述衬底具有第1表面及第2表面且在所述第1表面及所述第2表面吸附有抑制剂；和b)使所述衬底暴露于处理剂，由此将吸附于所述第1表面的所述抑制剂的一部分和吸附于所述第2表面的所述抑制剂的一部分除去，并在维持由残留在所述第1表面的所述抑制剂带来的成膜阻碍效果的同时，使由残留在所述第2表面的所述抑制剂带来的成膜阻碍效果降低或无效化的工序。

本发明提供扩大处理气体的流路面积的、涉及基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质的技术。具备喷射装置，该喷射装置于在内部收纳基板的处理容器内设在上述基板的侧方，沿着与上述基板垂直的方向延伸，向上述基板喷射气体，上述喷射装置具有筒状的第1喷管和第2喷管，上述第1喷管和上述第2喷管各自具有：形成在与上述基板相面对的那一侧的平坦面；与上述平坦面的两侧分别连接的两个面；沿着与上述基板平行的方向配置在上述平坦面上、且向实质相同的方向喷射气体的多个第1喷射孔；和配置在上述两个面中的至少一个面上、且向相对于上述相同的方向倾斜的方向喷射气体的第2喷射孔。

本发明提高形成于基板上的膜的特性。本发明具有以下工序：（a）向基板供给原料的工序；（b）向基板供给反应体的工序；（c）向所述基板供给调整剂的工序，所述调整剂调整吸附于基板的原料的分子和反应体的分子中至少某一个的量；（d）使（a）和（b）中至少某一个与（c）重叠进行的工序；以及（e）接着（d），相对于（c）单独进行在（d）中与（c）重叠进行的（a）或（b）的工序。

本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题是提供一种能够高效地进行衬底表面的蚀刻并提高生产率的技术。解决手段具有：(a)形成在处理容器内配置有制品衬底和含氮物的状态的工序；和(b)通过向配置有所述制品衬底和所述含氮物的状态的所述处理容器内供给含氟物质，从而利用通过使所述含氮物与所述含氟物质发生化学反应而产生的物质X来对所述制品衬底的表面进行蚀刻的工序。