中微半导体设备（上海）股份有限公司

本发明公开了一种薄膜沉积装置，该装置包含：真空反应腔，其具有进气开口和排气开口，进气开口用于沿水平方向向真空反应腔内供应工艺气体；基座组件，其设置于真空反应腔内，基座组件包含用于承载基片的承载面；真空反应腔内包含与进气开口对应的进气区域、与排气开口对应的排气区域以及位于进气区域和排气区域之间的处理区域；设定自进气区域向排气区域的方向为薄膜沉积装置的长度方向，在水平面内与长度方向垂直的为其宽度方向，自处理区域至排气区域的路径上，沿长度方向，至少部分处理区域的宽度呈连续减小趋势。该装置可提升处理区域宽度减小区域中的工艺气体的密度，从而增加基片在该区域的薄膜生长速度。