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本发明公开了一种用于12英寸晶圆的超高纯铜靶材的制备方法，以纯度≥99.9999%的金属铜铸锭为原料，依次经轴向锻造、径向十字交替挤压、去应力退火、十字交叉轧制、再结晶退火工序，通过精准调控铜靶塑性变形路径以定向调控（110）晶面择优取向，提高晶粒均匀性和大尺寸靶材的尺寸精度，配合去应力退火和再结晶退火形成的二次退火释放应力，制备得到的超高纯铜靶材（110）晶面取向占比稳定在45%~55%，平均晶粒尺寸≤50μm，中位数晶粒尺寸≤32μm，全域组织均匀性优异。本发明工艺兼容通用工业化设备，降低加工门槛，量产稳定性强，适配12英寸晶圆先进制程铜互连溅射工艺，使溅射速率稳定、镀膜均匀性高。