元の名称記録: 泰州中来光电科技有限公司

本发明属于光伏技术领域，提供一种基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用。该方法包括：基片放入加热的炉管中，抽真空，将炉管压力控制在80‑140Pa；再恒温处理，使炉管热场分布均匀，将炉管温度控制在500‑560℃，炉口与炉尾的温差范围控制在30‑60℃；再向炉管通入1：7‑11流量比的SiH与NO，射频电源功率为10000‑20000W，射频电源的有效脉宽与无效脉宽比为1：40‑90，以在基片表面沉积制得氧化硅膜。该方法通过上述各工艺参数的配合与优化，能确保产能，并能改善整管的炉口、炉中及炉尾的氧化硅膜的沉积速率差，提高氧化硅膜的沉积均匀性，且该方法的工艺简单、成本低。