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案件記録
一种芯片防护用双密度EPP内衬结构件及制备方法
発明有効
8請求項 · 1 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
王梦捷; 葛埕滏; 阮志华
IPC分類
B65D 25/14 (2006.01)B65D 81/05 (2006.01)B65D 25/10 (2006.01)B65D 85/86 (2006.01)B29C 48/16 (2019.01)
本发明公开了一种芯片防护用双密度EPP内衬结构件及制备方法,结构件包括底座,设置在所述底座上的支撑层,以及设置在所述支撑层上的缓冲层;制备方法包括以下步骤:S1、制备底座,S2、制备支撑层,S3、制备缓冲层,S4、组装;本发明通过致密EPP底座提供抗变形基体,纳米二氧化硅增强支撑层构成刚性骨架,高回弹EPP缓冲层分散冲击能,三者配合实现轻量化支撑与缓冲平衡;通过蒸汽膨胀实现支撑层与底座过盈配合,可控热流促进缓冲层界面分子缠结,通过双阶热源连接方式同步规避胶粘老化与热失控缺陷;辅以等离子活化增强键合强度及多级模压保障材料完整性,确保全结构长效可靠。
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