一种氮化碳纳米片及其制备方法和应用

本发明属于半导体氮化碳材料技术领域，具体涉及一种氮化碳纳米片及其制备方法和应用，本发明采用两步煅烧合成工艺，通过精准控制第二步高温煅烧时的条件参数，成功构建了具有高结晶度且形貌尺寸均匀的氮化碳纳米片结构。并且通过详细探究该材料的形成过程中的各个条件参数，验证得到了其形成过程中的固态相变转换机理。此外，该材料在电化学发光中表现出较高的光信号强度和优异的稳定性。本发明为高效、大规模化制备半导体氮化碳纳米片材料提供了新的策略，在材料制备领域具有重要的应用价值。