碳化硅颗粒除氮方法及高纯碳化硅粉料

本申请属于碳化硅技术领域，公开了碳化硅颗粒除氮方法及高纯碳化硅粉料，该除氮方法包括：对碳化硅颗粒进行粉碎处理，得到碳化硅细颗粒；将所述碳化硅细颗粒在惰性气氛下进行煅烧，得到高纯碳化硅粉料；其中，煅烧温度为1800℃以上。该除氮方法操作简单，且制备得到的碳化硅粉料中的氮含量小于5ppm。