一种高纯度碳化硅及其制备方法

本发明实施例涉及半导体材料制备技术领域，公开一种高纯度碳化硅及其制备方法。该高纯度碳化硅制备方法包括如下步骤：将碳化硅原料投入坩埚装置内的原料区域，并将坩埚装置抽至真空，向真空状态的坩埚装置内输入惰性气体至工作气压为100Pa~200 Pa，加热进行反应；其中，坩埚装置的底部为原料区域，坩埚装置的底部和顶部之间依次设置有过滤层和结晶层；其中，坩埚装置对应于原料区域的温度为2350~2400℃，结晶层的温度为2200℃~2260℃，坩埚装置顶部的温度为2290℃~2350℃，加热处理时间为50h~80h。该制备方法能够得到纯度高、颗粒均匀、结晶形态好、具有明显晶面的碳化硅。