一种低电阻TaN膜层的制备工艺

本发明涉及一种低电阻TaN膜层的制备工艺，包括向真空腔室内通入Ar气对真空腔室内的工件进行离子束清洗处理；向真空腔室内通入Ar气和N气，开启溅射电源和偏压电源对工件的表面进行溅射镀膜处理，溅射镀膜处理所用的溅射靶材为Ta靶。本发明提供的上述技术方案，通过采用氩离子清洗提高膜层与工件的结合力，TaN膜层采用磁控溅射Ta，并通入相应比例气体来制备低电阻膜层，使得制得的膜层均匀性好、电阻稳定，制备工艺能够方便地进行调控。