一种具有近红外表面等离子共振特性的铋/硅复合纳米结构的制备方法

本发明属于纳米材料技术领域，且公开了一种具有近红外表面等离子共振特性的铋/硅复合纳米结构的制备方法，包括以下步骤；S1：准备待沉积衬底：选择衬底材料后并裁剪成1.5cm×1.5cm的方块；S2：清洗待沉积衬底：洁净沉积基底，保障结构附着与均匀性；S3：衬底加热：将清洗后的衬底置于磁控溅射仪的沉积腔内。本发明通过在真空环境下进行磁控溅射，交替沉积铋和硅，直接出包覆硅量子点的铋纳米棒结构，该结构以相对便宜的铋替代昂贵的金和银等贵金属材料，可有效降低制作成本，所用半导体介质层材料是最为常见的硅，其特性易于通过掺杂等手段调控，所形成的铋纳米棒/硅量子点复合结构在近红外区具有明显的表面等离子共振特性。