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案件記録
沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
裴水斌; 赵晟原
IPC分類
C23C 16/04 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)
提供了一种沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置。沉积掩模包括:掩模基底,包括半导体晶圆;第一涂覆膜,在掩模基底上;以及第二涂覆膜,在第一涂覆膜上,并且包括交替地布置的孔图案和掩模图案,其中,孔图案的上部宽度小于孔图案的下部宽度。
外部リソース