一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法

本发明公开了一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法。该方法包括以下步骤：（1）测量并收集不同电阻率规格单晶的历史掺杂数据；（2）根据电阻率规格对数据进行分组，根据单晶直径对单晶截面电阻率进行修正，并剔除异常数据；（3）对单晶截面电阻率与等径掺杂气流量的关系进行拟合，使用拟合曲线计算单晶等径阶段目标掺杂气流量；（4）使用等径阶段目标掺杂气流量和历史掺杂数据计算放肩阶段目标掺杂气流量；（5）单晶生长时，在放肩阶段，以放肩阶段目标掺杂气流量进行，在等径阶段，以根据单晶等径部分实际直径修正的等径阶段目标掺杂气流量进行。采用该方法生长的气相掺杂区熔硅单晶电阻率准确性高，轴向电阻率分布均匀性好。