N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件

本发明涉及一种N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件，涉及半导体领域，包括：将籽晶、长晶原料和N型掺杂原料利用物理气相传输法进行长晶，得到N型掺杂碳化硅单晶；其中，所述N型掺杂原料包括：氮气和氨气的混合气。本发明提供的制备方法，通过在N型掺杂原料中引入特定的氨气，利用氨气的配合效果，在反应过程中不断形成的HCN分子的摩尔分数，以提高氮原子的掺杂均匀性，从而实现电阻率均匀性的提升。