一种8英寸SiC单晶快速生长方法

本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种8英寸SiC单晶快速生长方法，旨在解决传统物理气相传输法在大尺寸SiC单晶生长中存在的速率低、温场均匀性差、晶体质量不稳定及成本高昂的问题。该方法通过缩短气相传输距离至20‑60mm，重新设计生长温场并优化坩埚内部结构，实现高效高质生长。具体步骤包括：原料区域分层设置，顶层为1‑3mm粒径的SiC粉料，厚10‑150mm，中间层为50μm‑1mm粒径的SiC粉料，厚20‑150mm，其上方设直径150‑250mm的石墨圆锭，底层为含碳的使用后石墨原料；坩埚底部设保温材料，营造自下而上的温度梯度；恒温长晶50‑150h。实验显示，生长速率达220‑317μm/h，C包裹物＜0.05％，微管缺陷密度0.02‑0.05个/cm，总腐蚀坑密度1929‑2830个/cm，在提升生长速率的同时保证了晶体质量，实现提质降本。