一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置

本发明涉及SiC晶体的制备技术领域，且公开了一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置，包括制晶炉装置，所述制晶炉装置包括：制晶炉外壳和，所述制晶炉外壳包括：红外测温仪、制晶炉管、进气口、排气口、充气泵和制晶炉盖，所述制晶炉管包括第一电机、籽晶夹持器和籽晶，所述水冷总成包括：压缩机、水冷装置、储液器、过滤器、膨胀阀、蒸发器、水箱和第二水管，所述加热器总成包括：加热器、电极和加热底座，所述降温装置包括：第三水管、保温罩和导温罩，所述水冷总成有利于对制晶炉进行降温保护制晶设备，能控制炉内的气流分布，所述降温装置有利于更好的传递加热器的热量到达制晶炉要求的温度条件，有利于水冷装置更好的降温。